삼성전자가 본격적으로 질화갈륨(GaN) 파운드리(반도체 위탁생산) 사업에 나선다는 소식에 자회사인 에이프로세미콘을 통해 GaN 전력반도체 소자를 개발한 에이프로 주가가 강세다.
20일 오전 10시17분 기준 에이프로는 전일 대비 1350원(6.78%) 오른 2만1250원에 거래되고 있다.
전일 나온 블로터 보도에 따르면 삼성전자가 GaN이나 탄화규소(SiC) 등 신소재를 활용한 화합물반도체 시장 진출을 공식적으로 밝혔다.
최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장은 지난달 미국에서 열린 '삼성 파운드리 포럼'에서 "2025년 일반 소비자와 데이터센터, 차량용을 위해 GaN 전력반도체 파운드리를 시작할 것"이라고 말했다. 전력반도체는 전력 변환과 제어, 관리 등을 총괄하는 반도체를 말한다.
화합물반도체는 일반적으로 반도체 제작에 쓰이는 Si 기반 소자가 아닌 GaN이나 SiC 등 화합물 소자가 활용된다. 특히 GaN은 전력반도체와 무선주파수(RF) 소자에 더욱 이상적인 재료로 꼽힌다. 기존 Si 대비 동일 면적에서 10배 이상의 고전압에 견딜 수 있는 것으로 알려져 차세대 전력반도체로 주목받고 있다.
시장조사업체 옴디아는 이러한 흐름을 타고 SiC와 GaN이 중심이 된 화합물 기반 전력반도체 시장이 지난 2020년 10억달러(약 1조3000억원) 규모에서 2027년 100억달러(약 13조원) 수준까지 확장될 것으로 내다봤다.
에이프로는 차세대 전력반도체 제품 생산과 관련하여 MOCVD(유기금속화학증착) 장비 1기를 구입하여 설치를 완료했다. 더불어 최근에는 기술 경쟁력 강화를 위해 전력 반도체 기반으로 한 충방전 설비를 개발하며 신제품 개발에 주력하고 있다.
특히 자회사인 에이프로세미콘(지분율 97.35%)은 차세대 GaN 전력반도체 소자를 개발하기도 했다. 주민우 NH투자증권 연구원은 지난달 말 발간한 보고서를 통해 "반도체 자회사인 에이프로세미콘은 차세대 GaN 전력반도체 소자를 개발했으며 파운드리사를 통해 올해 연말부터 양산을 시작할 예정이다. 본격 양산 시작시 소자의 자체 판매와 활성화 장비 고도화에 적용될 예정"이라고 밝히기도 했다.