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/사진=이미지투데이 |
22일 블룸버그통신에 따르면 삼성전자는 앞으로 3나노미터(nm) 공정까지 적용 가능한 공장을 텍사스주 오스틴에 설립하는 것을 논의 중이다. 잠정적인 계획은 올해 착공해 내년 주요 장비를 설치하고 후년부터 가동하는 것이다.
블룸버그는 이를 위한 투자금액이 100억달러 이상이 될 것이라고 전했다. 오스틴에는 이미 14나노 공정을 갖춘 삼성전자 반도체 공장이 있다는 점에서 증설과 고도화가 점쳐진다. 삼성전자 미국지사가 지난해 10월 기존 오스틴 공장 바로 옆에 땅을 구입, 지난해 12월 오스틴시의회에서 삼성전자의 해당 부지 용도변경신청에 대해 논의한 것으로 알려졌다.
삼성전자가 이번 계획을 확정한다면 미국 내 공장 신설에서도 TSMC와 경쟁하게 된다. TSMC는 120억달러(약 13조원)를 들여 미국 애리조나주에 5나노 이하 공정을 위한 공장을 2023년 가동을 목표로 설립 중이다. 업계에서는 인텔과 파운드리(반도체 위탁생산) 계약을 TSMC는 이미 체결한 것으로 추정하고 있으며 삼성전자도 수주할 가능성이 높은 것으로 보고 있다.
전날 팻 겔싱어 인텔 차기 CEO는 인텔 4분기 실적발표에서 “7나노 공정 개선이 진전을 이뤄 만족한다. 2023년 인텔 제품 대부분이 내부에서 제조될 것으로 확신한다”고 설명하면서도 “우리 포트폴리오 폭을 고려할 때 일부 특정 기술·제품에 대한 외부 파운드리 사용을 확대할 가능성이 높다”고 밝힌 바 있다. 인텔의 파운드리 관련 구체적인 발표는 다음달 15일 팻 겔싱어의 CEO 정식 취임 이후에 이뤄질 전망이다.