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SK하이닉스 M16 전경 /사진=SK하이닉스 |
SK하이닉스는 이 팹을 최첨단 인프라 기반의 차세대 성장동력으로 삼는다는 방침이다. 이를 위해 EUV(극자외선) 노광장비도 SK하이닉스 최초로 도입했다. EUV는 초미세공정을 위해 필수적인 기술로, 파장 길이가 기존 불화아르곤(ArF) 장비의 14분의 1 수준이라 더욱 미세한 회로를 그릴 수 있게 한다. 한 대당 1500억원이 넘는 장비지만 삼성전자에 이어 SK하이닉스도 과감한 투자를 결정했다.
SK하이닉스는 EUV 공정을 갖춘 M16 팹에서 올 하반기부터 4세대 10나노급(1a) D램 제품을 생산할 예정이다. 최근 미국 마이크론이 한발 앞서 1a D램을 선보였지만 EUV가 아닌 ArF 공정을 적용했다. 세계 D램 시장에서 23%가량 점유율로 3위를 차지하고 있는 이 회사는 EUV 도입을 2023년 이후로 고려하는 것으로 알려졌다. ArF 공정으로는 10나노 이하 제품 생산에 한계가 있다. 연내 EUV 공정 기반의 1a D램 출시를 포함, 시장 1·2위인 삼성전자와 SK하이닉스의 기술 리더십도 계속될 전망이다.
SK하이닉스로서는 M16 준공이 ‘미래비전’의 조기 달성이라는 점에도 의미가 있다. 2015년 M14 준공식에서 2024년까지 M14를 포함한 3개 신규 팹을 구축하겠다는 계획을 발표한 바 있다. 이후 2018년 청주 M15에 이어 이번 M16 준공으로 계획을 3년 앞당겨 완성했다.
M16 준공식에서 최태원 SK그룹 회장은 “반도체 경기가 하락세를 그리던 2년 전 우리가 M16을 짓는다고 했을 때 우려의 목소리가 많았다. 하지만 이제 반도체 업사이클 얘기가 나오고 있는 만큼, 어려운 시기에 내린 과감한 결단이 더 큰 미래를 꿈꿀 수 있게 해줬다”며 “M16은 그동안 회사가 그려온 큰 계획의 완성이자 앞으로 용인 클러스터로 이어지는 출발점으로서 중요한 상징으로 남을 것”이라고 밝혔다.